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產(chǎn)品中(zhōng)心(xīn)

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當前位(wèi)置:首(shǒu)頁(yè)產品(pǐn)中(zhōng)心專用(yòng)儀器儀表(biǎo)DP-LT-200數(shù)字(zì)式(shì)太陽能級矽晶體(tǐ)少子(zǐ)壽命測(cè)試儀(yí)

數字(zì)式(shì)太陽能(néng)級(jí)矽晶(jīng)體(tǐ)少子壽(shòu)命(mìng)測試儀

產(chǎn)品(pǐn)簡介

數字式太(tài)陽能級(jí)矽晶體(tǐ)少子壽(shòu)命測試儀(yí) 型(xíng)號:DP-LT-200

1. 儀(yí)器(qì)應用範圍及說明

本(běn)設備是按(àn)照家標準GB/T1553“矽單晶少(shǎo)數載(zǎi)流(liú)子壽(shòu)命(mìng)測定(dìng)的頻(pín)光(guāng)電(diàn)導(dǎo)衰減法"。頻(pín)光電導(dǎo)衰(shuāi)減法在(zài)我半(bàn)導體集成電路(lù),晶體(tǐ)管,整(zhěng)流(liú)器件(jiàn),核探(tàn)器(qì)行業(yè)已運(yùn)用了三(sān)十(shí)多年,積(jī)累了豐(fēng)富的(dí)使(shǐ)用(yòng)經驗,經過數(shù)次十多個單位巡(xún)回(huí)測試的考(kǎo)驗,證(zhèng)明是(shì)種(zhǒng)成(chéng)熟(shú)可靠的(dí)測(cè)試(shì)方法(fǎ),特別適(shì)合於矽塊,矽棒的少子體壽命(mìng)測(cè)量;也可對矽片行測量(liáng),給出(chū)相(xiāng)對壽命(mìng)值。方法本身對樣品(pǐn)表(biǎo)麵的(dí)要求為研磨麵,因此製樣特別簡(jiǎn)便(biàn)。

產品型號(hào):DP-LT-200
更新(xīn)時(shí)間:2017-10-14
廠(chǎng)商性質:生產廠家(jiā)
訪問(wèn)量:1314

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數字式太(tài)陽能級(jí)矽晶(jīng)體(tǐ)少(shǎo)子(zǐ)壽(shòu)命測(cè)試儀 型(xíng)號(hào):DP-LT-200

1.    儀器應用範(fàn)圍(wéi)及說明(míng)

本設(shè)備是按(àn)照家標準GB/T1553“矽(guī)單(dān)晶少數載流(liú)子壽命(mìng)測定(dìng)的(dí)頻光電導衰減(jiǎn)法”。頻光(guāng)電導衰(shuāi)減法在我半導(dǎo)體集(jí)成(chéng)電路(lù),晶體(tǐ)管,整流(liú)器件,核探器行(háng)業(yè)已(yǐ)運(yùn)用(yòng)了(liǎo)三十(shí)多年,積累了豐富的(dí)使(shǐ)用經驗,經(jīng)過數次(cì)十(shí)多個單(dān)位巡(xún)回(huí)測(cè)試(shì)的考驗,證明(míng)是(shì)種成(chéng)熟可靠(kào)的測試(shì)方(fāng)法(fǎ),特別(bié)適合於矽塊,矽棒(bàng)的少子體壽命測(cè)量;也(yě)可(kě)對(duì)矽(guī)片行(háng)測(cè)量(liáng),給(gěi)出(chū)相對壽命值。方法(fǎ)本(běn)身對樣品表(biǎo)麵(miàn)的要求為(wéi)研(yán)磨(mó)麵(miàn),因此(cǐ)製樣特(tè)別簡(jiǎn)便(biàn)。

數字(zì)式矽(guī)晶(jīng)體少(shǎo)子壽(shòu)命(mìng)測(cè)試(shì)儀(yí)有以下特點:

可(kě)測量太陽能(néng)級多(duō)晶矽塊,單(dān)晶(jīng)矽棒(bàng)少數(shù)載(zǎi)流(liú)子(zǐ)體(tǐ)壽命。表(biǎo)麵無(wú)需拋(pāo)光,直(zhí)接對(duì)切割麵或(huò)研(yán)磨(mó)麵行(háng)測量(liáng),儀器可按(àn)需方(fāng)提供的(dí)有(yǒu)標稱值的校準樣品(pǐn)調試壽命(mìng)值(zhí)。

1.1     可(kě)測量(liáng)太(tài)陽能級(jí)單晶(jīng)及多晶矽(guī)片少(shǎo)數載流子(zǐ)的相對壽(shòu)命(mìng),表麵無需(xū)拋光(guāng),鈍化(huà)。

1.2     液晶屏上直(zhí)接顯(xiǎn)示(shì)少(shǎo)子(zǐ)壽命值(zhí),同(tóng)時在綫顯示光電導衰退波形。

1.3   配置的(dí)紅外光(guāng)源(yuán):0.904~0.905μm波長(cháng)紅(hóng)外(wài)脈衝(chōng)激(jī)光(guāng)器(qì),光穿透(tòu)矽(guī)晶體(tǐ)深度較淺(qiǎn)≈30μm,但光(guāng)強較(jiào)強,有利於測(cè)量低(dī)阻(zǔ)太陽能級矽晶體(tǐ)少(shǎo)數(shù)載流子體壽(shòu)命,脈衝(chōng)率30W。

1.4     測量(liáng)範(fàn)圍(wéi)寬廣

測試儀(yí)可直(zhí)接(jiē)測量:

a,研磨或切(qiē)割(gē)麵(miàn):電阻(zǔ)率(shuài)≥0.5Ω•cm的單晶矽(guī)棒,定(dìng)向(xiàng)結(jié)晶多晶矽塊少子體(tǐ)壽命(mìng),切(qiē)割(gē)片(piàn)的少(shǎo)子(zǐ)相(xiāng)對壽(shòu)命(mìng)。

b,拋光(guāng)麵:電(diàn)阻率(shuài)在0.5~0.01Ω•cm範圍內(nèi)的矽單晶,鍺單晶厚度小(xiǎo)於1mm的(dí)拋(pāo)光片。

2.    設(shè)備要求(qiú)及性能(néng)標

2.1     少子(zǐ)壽(shòu)命測試範(fàn)圍:0.5μs~6000μs            

2.2     樣(yàng)品(pǐn)的電阻率範(fàn)圍(wéi):ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)             

2.3     測試(shì)速(sù)度:1分(fēn)鐘/片(piàn)                     

2.4     紅外光(guāng)源(yuán)波(bō)長: 0.904~0.905μm                  

2.5     頻振蕩源:用(yòng)石英(yīng)諧振(zhèn)器(qì),振(zhèn)蕩頻率:30MHZ

2.6     前置(zhì)放大(dà)器,放(fàng)大倍數約25,頻寬2HZ-2MHZ

2.7     可(kě)測單晶尺(chǐ)寸:斷麵(miàn)豎測:

直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm

縱(zòng)向臥(wò)測:直徑(jìng)5mm-20mm;長(cháng)度(dù)50mm-200mm

2.8     測量方式:采(cǎi)用(yòng)數(shù)字示波(bō)器(qì)直接讀(dú)數方式(shì)

2.9     測(cè)試分(fēn)辨率:數字存(cún)儲(chǔ)示(shì)波(bō)器zui小分辨(biàn)率0.01μs

2.10  設備重量(liáng):20 Kg

2.11  儀器電源(yuán):電源電壓類(lèi)型:單(dān)相(xiāng)210~230V,50Hz,帶電源隔(gé)離(lí),濾波,穩壓,不能(néng)與(yǔ)未做(zuò)保護(hù)措施的(dí)大率(shuài),頻(pín)設備共(gòng)用(yòng)電源。

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